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IXTA1N170DHV

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IXYS

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

SOT-23

nicht konform

IXTA1N170DHV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $11.45160 $572.58
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16Ohm @ 500mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3090 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 290W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263HV
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFR014TRPBF
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$0 $/Stück
IRFP9240
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$0 $/Stück
PSMN012-25YLC,115
IXFK44N50P
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STFI26N60M2
NTP082N65S3F
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