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IXTA36N30P

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 36A TO263

IXTA36N30P Technisches Datenblatt

compliant

IXTA36N30P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.47000 $3.47
50 $2.79000 $139.5
100 $2.54200 $254.2
500 $2.05840 $1029.2
1,000 $1.73600 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIHG25N40D-GE3
IRF7403TRPBF
SQJ860EP-T1_BE3
FCPF099N65S3
FCPF099N65S3
$0 $/Stück
IRFR9110PBF
IRFR9110PBF
$0 $/Stück
BUK9615-100E,118
BUK9615-100E,118
$0 $/Stück
BSS84-TP
BSS84-TP
$0 $/Stück
PMV50ENEAR
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$0 $/Stück

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