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IXTA3N150HV

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IXYS

MOSFET N-CH 1500V 3A TO263

IXTA3N150HV Technisches Datenblatt

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IXTA3N150HV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $6.97000 $348.5
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1375 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

DMN6069SE-13
STD5NK40Z-1
BUK9Y15-100E,115
IRFH5010TRPBF
STFU10NK60Z
STFW3N170
STFW3N170
$0 $/Stück
IRF630
IRF630
$0 $/Stück
IRF7455TRPBF
IRFB11N50APBF-BE3

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