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IXTA3N50D2

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 3A TO263

IXTA3N50D2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTA3N50D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.91000 $2.91
50 $2.34000 $117
100 $2.13200 $213.2
500 $1.72640 $863.2
1,000 $1.45600 -
815 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1070 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXTH240N15X4
IXTH240N15X4
$0 $/Stück
STB7N52K3
STB7N52K3
$0 $/Stück
FDMC86260
FDMC86260
$0 $/Stück
DMN3065LW-13
IRFR2407TRPBF
STP7NK40Z
STP7NK40Z
$0 $/Stück
IRFZ44STRLPBF

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