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IXTA48N20T

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 48A TO263

IXTA48N20T Technisches Datenblatt

compliant

IXTA48N20T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.36260 $118.13
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 48A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3090 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXFQ60N60X
IXFQ60N60X
$0 $/Stück
IXFH52N30P
IXFH52N30P
$0 $/Stück
FDMS86202
FDMS86202
$0 $/Stück
SIHP065N60E-BE3
UJ3C065080T3S
UJ3C065080T3S
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NTMFS4945NT3G
NTMFS4945NT3G
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