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IXTA56N15T

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IXTA56N15T

IXYS

MOSFET N-CH 150V 56A TO263

IXTA56N15T Technisches Datenblatt

compliant

IXTA56N15T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.25000 $112.5
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTMYS2D4N04CTWG
NTMYS2D4N04CTWG
$0 $/Stück
STD15N50M2AG
IXFK48N60Q3
IXFK48N60Q3
$0 $/Stück
SI4426DY-T1-E3
IPP50R520CP
BUK7Y21-40EX
STF7N65M2
STF7N65M2
$0 $/Stück
IXTR210P10T
IXTR210P10T
$0 $/Stück

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