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IXTA90N055T2

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IXYS

MOSFET N-CH 55V 90A TO263

nicht konform

IXTA90N055T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $1.65000 $82.5
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2770 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STD5NM60T4
STD5NM60T4
$0 $/Stück
BUK652R3-40C,127
BUK652R3-40C,127
$0 $/Stück
FDPF5N50UT
FDPF5N50UT
$0 $/Stück
IRFP4227PBF
DMN3026LVTQ-13
NTMFS4C020NT3G
NTMFS4C020NT3G
$0 $/Stück
BUK7M8R0-40EX

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