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IXTA90N20X3

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 90A TO263

IXTA90N20X3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTA90N20X3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.13860 $7.1386
500 $7.067214 $3533.607
1000 $6.995828 $6995.828
1500 $6.924442 $10386.663
2000 $6.853056 $13706.112
2500 $6.78167 $16954.175
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5420 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDP8874
FDP8874
$0 $/Stück
STFI7LN80K5
R8008ANJFRGTL
FQAF10N80
FQPF14N15
PSMN5R0-80BS,118
RM3139K
RM3139K
$0 $/Stück
FDP86363-F085
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$0 $/Stück
NVMFS5C442NLAFT1G
NVMFS5C442NLAFT1G
$0 $/Stück

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