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IXTH12N100Q

IXTH12N100Q

IXTH12N100Q

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

IXTH12N100Q Technisches Datenblatt

compliant

IXTH12N100Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $12.48767 $374.6301
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IPD031N03M G
IXTP152N085T
IXTP152N085T
$0 $/Stück
IRL520STRL
IRL520STRL
$0 $/Stück
SIHW47N65E-GE3
STP14NM65N
STP14NM65N
$0 $/Stück
IRF3709ZL
AUIRFZ46NL
IRFS4710PBF

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