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IXTH13N80

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 13A TO247

IXTH13N80 Technisches Datenblatt

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IXTH13N80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.57367 $287.2101
177 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STP24NF10
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$0 $/Stück
APT8043BFLLG
STI30N65M5
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$0 $/Stück
5HN01S-TL-E
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$0 $/Stück
PMV60EN,215
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$0 $/Stück
FQI9N50CTU

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