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IXTH16N10D2

IXTH16N10D2

IXTH16N10D2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 16A TO247

IXTH16N10D2 Technisches Datenblatt

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IXTH16N10D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.89767 $296.9301
5 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 64mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5700 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NTP5862NG
NTP5862NG
$0 $/Stück
STF5N52K3
STF5N52K3
$0 $/Stück
FQP3N60
2SK669-AC
2SK669-AC
$0 $/Stück
SIHP050N60E-GE3
APT5010LFLLG
PSMN4R4-80BS,118
SI3473CDV-T1-E3

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