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IXTH16P60P

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IXYS

MOSFET P-CH 600V 16A TO247

IXTH16P60P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTH16P60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.88000 $8.88
30 $7.27767 $218.3301
120 $6.56750 $788.1
510 $5.50251 $2806.2801
1,020 $4.97000 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 720mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5120 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFSL7730PBF
IRFR9220TRLPBF
STP9NK50Z
STP9NK50Z
$0 $/Stück
DMN3009SK3-13
NTMFS5H615NLT1G
NTMFS5H615NLT1G
$0 $/Stück
FDMS003N08C
FDMS003N08C
$0 $/Stück
MMSF10N03ZR2
MMSF10N03ZR2
$0 $/Stück
APT30M36LLLG

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