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IXTH20N60

IXTH20N60

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 20A TO247

IXTH20N60 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH20N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.16800 $305.04
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STD8NM60N
STD8NM60N
$0 $/Stück
STB78NF55-08
SPB35N10
IRL3715Z
PH1955L,115
PH1955L,115
$0 $/Stück
IRF540STRL
IRF540STRL
$0 $/Stück
2SK4209
2SK4209
$0 $/Stück
IXFC20N80P
IXFC20N80P
$0 $/Stück

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