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IXTH2N170D2

IXTH2N170D2

IXTH2N170D2

IXYS

MOSFET N-CH 1700V 2A TO247

IXTH2N170D2 Technisches Datenblatt

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IXTH2N170D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $11.58100 $347.43
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 6.5Ohm @ 1A, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3650 pF @ 10 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 568W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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