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IXTH30N50L2

IXTH30N50L2

IXTH30N50L2

IXYS

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

IXTH30N50L2 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH30N50L2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.33000 $11.33
30 $9.52767 $285.8301
120 $8.75500 $1050.6
510 $7.46751 $3808.4301
1,020 $7.21000 -
99 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FQB14N30TM
RS1E170GNTB
SISA40DN-T1-GE3
IXTK20N150
IXTK20N150
$0 $/Stück
SI7810DN-T1-GE3
NVTFS5C680NLTAG
NVTFS5C680NLTAG
$0 $/Stück
SIRA96DP-T1-GE3

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