Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTH3N150

IXTH3N150

IXTH3N150

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 3A TO247

IXTH3N150 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH3N150 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $8.36400 $250.92
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1375 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FDB5800
FDB5800
$0 $/Stück
NTMFS5C450NLT3G
NTMFS5C450NLT3G
$0 $/Stück
IXFA10N80P-TRL
IXFA10N80P-TRL
$0 $/Stück
FDW6923

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.