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IXTH6N50D2

IXTH6N50D2

IXTH6N50D2

IXYS

MOSFET N-CH 500V 6A TO247

IXTH6N50D2 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH6N50D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.30000 $6.3
30 $5.16600 $154.98
120 $4.66200 $559.44
510 $3.90600 $1992.06
1,020 $3.52800 -
58 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 500mOhm @ 3A, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2800 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

PMXB56ENZ
PMXB56ENZ
$0 $/Stück
FDMC8360LET40
FDMC8360LET40
$0 $/Stück
G3R40MT12D
FQI5N60CTU
IXFK52N100X
IXFK52N100X
$0 $/Stück
FQAF15N70
NTHL041N60S5H
NTHL041N60S5H
$0 $/Stück

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