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IXTH75N10L2

IXTH75N10L2

IXTH75N10L2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 75A TO247

IXTH75N10L2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTH75N10L2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.33000 $11.33
30 $9.52767 $285.8301
120 $8.75500 $1050.6
510 $7.46751 $3808.4301
1,020 $7.21000 -
1 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 215 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTP36P15P
IXTP36P15P
$0 $/Stück
PSMN011-60MLX
IRFR430BTM
CSD16570Q5BT
SQJ461EP-T2_GE3
APT50M75JLLU2
IRFU3707ZPBF

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