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IXTJ4N150

IXTJ4N150

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IXYS

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247

IXTJ4N150 Technisches Datenblatt

compliant

IXTJ4N150 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $7.44167 $223.2501
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1576 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFA34N65X3
IXFA34N65X3
$0 $/Stück
APT10035LLLG
DMN3300UQ-7
STH315N10F7-2
APT60M75JLL
NTD78N03-35G
NTD78N03-35G
$0 $/Stück
IXTQ60N20L2
IXTQ60N20L2
$0 $/Stück

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