Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 76A SOT227

nicht konform

IXTN102N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $23.84000 $23.84
10 $22.05200 $220.52
100 $18.83360 $1883.36
500 $16.68800 $8344
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 76A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 152 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 595AW (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

RM4N650TI
RM4N650TI
$0 $/Stück
R6015ENX
R6015ENX
$0 $/Stück
IXTK120N25P
IXTK120N25P
$0 $/Stück
SIR401DP-T1-GE3
APT26M100JCU3
NVD5484NLT4G
NVD5484NLT4G
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.