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IXTN170P10P

IXTN170P10P

IXTN170P10P

IXYS

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B

IXTN170P10P Technisches Datenblatt

compliant

IXTN170P10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $26.00000 $26
10 $24.05000 $240.5
30 $22.10000 $663
100 $20.54000 $2054
250 $18.85000 $4712.5
500 $17.94000 $8970
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

STP32N65M5
STP32N65M5
$0 $/Stück
STP2NK100Z
STP2NK100Z
$0 $/Stück
SQJA37EP-T1_BE3
2SK4222
2SK4222
$0 $/Stück
STD3NK60ZT4
DMP2067LVT-7
FDU6680
MCAC10H045Y-TP
PSMN018-80YS,115
SI7111EDN-T1-GE3

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