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IXTN200N10T

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B

IXTN200N10T Technisches Datenblatt

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IXTN200N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $24.60500 $246.05
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 152 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 550W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

DIT100N10
STB28NM60ND
STD3N80K5
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FDT86113LZ
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$0 $/Stück
HUF75545S3ST
HUF75545S3ST
$0 $/Stück
SI4434ADY-T1-GE3
IXTH160N15T
IXTH160N15T
$0 $/Stück
DN3145N8-G
STP24N60M6
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$0 $/Stück
BUK7526-100B,127
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$0 $/Stück

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