Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTN30N100L

IXTN30N100L

IXTN30N100L

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

IXTN30N100L Technisches Datenblatt

compliant

IXTN30N100L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $54.43000 $54.43
10 $50.89700 $508.97
25 $47.07200 $1176.8
100 $44.13000 $4413
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 545 nC @ 20 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IXFA5N100P
IXFA5N100P
$0 $/Stück
NVMFS5C410NWFAFT1G
NVMFS5C410NWFAFT1G
$0 $/Stück
UJ4C075060B7S
UJ4C075060B7S
$0 $/Stück
FDPF5N50T
FDPF5N50T
$0 $/Stück
SQA403EJ-T1_GE3
APT34F60B
2N7002EQ-13-F
RFD16N05L
RFD16N05L
$0 $/Stück
DMTH6010SK3-13

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.