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IXTN5N250

IXTN5N250

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IXYS

MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B

IXTN5N250 Technisches Datenblatt

compliant

IXTN5N250 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $49.60000 $496
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 2500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8560 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 700W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

PSMN005-75P,127
DMN10H220L-13
MSC090SMA070S
STW11NK100Z
IXFX180N25T
IXFX180N25T
$0 $/Stück
STP18NM60ND
FDU6680A
FDMC86570LET60
FDMC86570LET60
$0 $/Stück

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