Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTP12N70X2

IXTP12N70X2

IXTP12N70X2

IXYS

MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB

IXTP12N70X2 Technisches Datenblatt

compliant

IXTP12N70X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.30500 $4.305
500 $4.26195 $2130.975
1000 $4.2189 $4218.9
1500 $4.17585 $6263.775
2000 $4.1328 $8265.6
2500 $4.08975 $10224.375
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 960 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NVTFS007N08HLTAG
NVTFS007N08HLTAG
$0 $/Stück
NTDV5805NT4G
NTDV5805NT4G
$0 $/Stück
SI4838BDY-T1-GE3
STU7NF25
STU7NF25
$0 $/Stück
FDD4141
FDD4141
$0 $/Stück
IXTY02N120P
IXTY02N120P
$0 $/Stück
SQJ160EP-T1_GE3
SIHU7N60E-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.