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IXTP130N10T

IXTP130N10T

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

IXTP130N10T Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTP130N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.85000 $2.85
50 $2.30000 $115
100 $2.07000 $207
500 $1.61000 $805
1,000 $1.33400 -
2,500 $1.28800 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 104 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STF16N50M2
STF16N50M2
$0 $/Stück
NTE491SM
NTE491SM
$0 $/Stück
DMN3025LFDF-13
IXTK60N50L2
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$0 $/Stück
NX3008NBKW,115
SPW12N50C3
SQS414CENW-T1_GE3
IXTU02N50D
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$0 $/Stück
SKP202VR
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$0 $/Stück

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