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IXTP160N10T

IXTP160N10T

IXTP160N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB

IXTP160N10T Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTP160N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.42000 $3.42
50 $2.74500 $137.25
100 $2.50100 $250.1
500 $2.02520 $1012.6
1,000 $1.70800 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 160A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 430W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

2SK4096LS-1E
2SK4096LS-1E
$0 $/Stück
FQPF19N20T
APT47F60J
BUK9E15-60E,127
BUK9E15-60E,127
$0 $/Stück
MMBF170
MMBF170
$0 $/Stück
PSMN7R5-60YLX
IRFR214TRRPBF
STT4P3LLH6
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$0 $/Stück
FQD16N15TM

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