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IXTP180N10T

IXTP180N10T

IXTP180N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

IXTP180N10T Technisches Datenblatt

compliant

IXTP180N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.98000 $4.98
50 $4.00500 $200.25
100 $3.64900 $364.9
500 $2.95480 $1477.4
1,000 $2.49200 -
1480 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 151 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 480W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

3LN03M-TL-E
3LN03M-TL-E
$0 $/Stück
STI150N10F7
IXFH220N06T3
IXFH220N06T3
$0 $/Stück
NVTFS5C680NLWFTAG
NVTFS5C680NLWFTAG
$0 $/Stück
SUM90142E-GE3
SIJH5700E-T1-GE3
DMPH6250SQ-7
NVMFS4C302NWFT1G
NVMFS4C302NWFT1G
$0 $/Stück

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