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IXTP200N055T2

IXTP200N055T2

IXTP200N055T2

IXYS

MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB

compliant

IXTP200N055T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.04000 $3.04
50 $2.45000 $122.5
100 $2.20500 $220.5
500 $1.71500 $857.5
1,000 $1.42100 -
2,500 $1.37200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 109 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS9D6P04M8LTAG
NVTFS9D6P04M8LTAG
$0 $/Stück
SQS840EN-T1_GE3
BUK762R7-30B,118
STP46NF30
STP46NF30
$0 $/Stück
BSS138-13-F
2N7002CK,215
SIRA14DP-T1-GE3
NTF6P02T3G
NTF6P02T3G
$0 $/Stück

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