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IXTP44N10T

IXTP44N10T

IXTP44N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB

IXTP44N10T Technisches Datenblatt

compliant

IXTP44N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.51000 $1.51
50 $1.20400 $60.2
100 $1.05350 $105.35
500 $0.81700 $408.5
1,000 $0.64500 -
2,500 $0.60200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1262 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STB25N80K5
STB25N80K5
$0 $/Stück
SQJ479EP-T1_BE3
BSS138W-7-F
SI7454FDP-T1-RE3
SI7611DN-T1-GE3
DMP3045LVT-7
STD7N60M2
STD7N60M2
$0 $/Stück
DMN3016LFDF-7
BUK7Y59-60EX

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