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IXTP50N20P

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB

IXTP50N20P Technisches Datenblatt

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IXTP50N20P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.81260 $140.63
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2720 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVTYS003N04CLTWG
NVTYS003N04CLTWG
$0 $/Stück
FDMS86263P
FDMS86263P
$0 $/Stück
IRFI4110GPBF
IXFX44N80Q3
IXFX44N80Q3
$0 $/Stück
SIHFR1N60ATR-GE3

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