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IXTP56N15T

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IXYS

MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB

IXTP56N15T Technisches Datenblatt

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IXTP56N15T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.65500 $132.75
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

AUIRF7669L2TR
GC11N65M
GC11N65M
$0 $/Stück
SQ4401EY-T1_GE3
STFW60N65M5
IXFT140N20X3HV
IXFT140N20X3HV
$0 $/Stück
FDC86244
FDC86244
$0 $/Stück
BSH207,135
BSH207,135
$0 $/Stück
SQP120N06-3M5L_GE3

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