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IXTP64N10L2

IXTP64N10L2

IXTP64N10L2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB

IXTP64N10L2 Technisches Datenblatt

compliant

IXTP64N10L2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $18.21000 $18.21
500 $18.0279 $9013.95
1000 $17.8458 $17845.8
1500 $17.6637 $26495.55
2000 $17.4816 $34963.2
2500 $17.2995 $43248.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 64A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3620 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 357W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STB6NK60Z-1
NTMYS7D3N04CLTWG
NTMYS7D3N04CLTWG
$0 $/Stück
CPH6311-TL-E
CPH6311-TL-E
$0 $/Stück
NTMFS4945NT1G
NTMFS4945NT1G
$0 $/Stück
FQD630TM
STD10LN80K5
DMN3112SQ-7

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