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IXTP6N100D2

IXTP6N100D2

IXTP6N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

IXTP6N100D2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTP6N100D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.99000 $5.99
50 $4.81500 $240.75
100 $4.38700 $438.7
500 $3.55240 $1776.2
1,000 $2.99600 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 2.2Ohm @ 3A, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2650 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STF28NM60ND
APT18F60B
BUK663R7-75C,118
BUK663R7-75C,118
$0 $/Stück
IRF7473TRPBF
NTMS3P03R2G
NTMS3P03R2G
$0 $/Stück
R8005ANX
R8005ANX
$0 $/Stück
SCT3080ALHRC11
FDJ127P
PMV120ENEAR
PMV120ENEAR
$0 $/Stück

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