Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTP80N12T2

IXTP80N12T2

IXTP80N12T2

IXYS

MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB

IXTP80N12T2 Technisches Datenblatt

compliant

IXTP80N12T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.92000 $2.92
500 $2.8908 $1445.4
1000 $2.8616 $2861.6
1500 $2.8324 $4248.6
2000 $2.8032 $5606.4
2500 $2.774 $6935
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 120 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4740 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 325W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G
$0 $/Stück
FDMS7650
FDMS7650
$0 $/Stück
IXFB30N120P
IXFB30N120P
$0 $/Stück
FDD306P
FDD306P
$0 $/Stück
FQI5N50CTU
IXTA60N10T
IXTA60N10T
$0 $/Stück
IXTX4N300P3HV
IXTX4N300P3HV
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.