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IXTP8N65X2

IXTP8N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 8A TO220

IXTP8N65X2 Technisches Datenblatt

compliant

IXTP8N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $1.30000 $65
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFP440
IRFP440
$0 $/Stück
IXTH220N20X4
IXTH220N20X4
$0 $/Stück
SI7415DN-T1-GE3
TN0606N3-G
FDPF51N25RDTU
FDPF51N25RDTU
$0 $/Stück
DMTH6004SK3Q-13
STL33N65M2
STL33N65M2
$0 $/Stück
NTMS4802NR2G
NTMS4802NR2G
$0 $/Stück

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