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IXTP8N70X2

IXTP8N70X2

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IXYS

MOSFET N-CH 700V 8A TO220-3

SOT-23

IXTP8N70X2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTP8N70X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.31760 $115.88
28 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 500mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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