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IXTQ3N150M

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IXYS

MOSFET N-CH 1500V 1.83A TO3PFP

IXTQ3N150M Technisches Datenblatt

compliant

IXTQ3N150M Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.53067 $7.53067
500 $7.4553633 $3727.68165
1000 $7.3800566 $7380.0566
1500 $7.3047499 $10957.12485
2000 $7.2294432 $14458.8864
2500 $7.1541365 $17885.34125
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.83A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38.6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1375 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 73W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3PFP
Paket / Koffer TO-3P-3 Full Pack
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