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IXTR32P60P

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IXYS

MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247

IXTR32P60P Technisches Datenblatt

compliant

IXTR32P60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $14.30067 $429.0201
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 385mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 196 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Koffer TO-247-3
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