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IXTT100N25P

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 100A TO268

IXTT100N25P Technisches Datenblatt

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IXTT100N25P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $8.46667 $254.0001
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 185 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFS8409-7P
IXTQ52N30P
IXTQ52N30P
$0 $/Stück
SIJ462DP-T1-GE3
IXFA76N15T2
IXFA76N15T2
$0 $/Stück
FDPF33N25TRDTU
FDPF33N25TRDTU
$0 $/Stück
QS5U33TR
QS5U33TR
$0 $/Stück
DMP2045U-13
PSMN4R3-40MSHX

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