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IXTT110N10P

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 110A TO268

IXTT110N10P Technisches Datenblatt

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IXTT110N10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.28767 $158.6301
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3550 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 480W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

IXTT60N20L2
IXTT60N20L2
$0 $/Stück
DMN2300UFD-7
2SK4066-1E
2SK4066-1E
$0 $/Stück
STD4NK80Z-1
NTA7002NT1G
NTA7002NT1G
$0 $/Stück
R6004PND3FRATL
NVMTS0D7N04CLTXG
NVMTS0D7N04CLTXG
$0 $/Stück

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