Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTT110N10P

IXTT110N10P

IXTT110N10P

IXYS

MOSFET N-CH 100V 110A TO268

IXTT110N10P Technisches Datenblatt

compliant

IXTT110N10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.28767 $158.6301
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3550 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 480W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IXTT60N20L2
IXTT60N20L2
$0 $/Stück
DMN2300UFD-7
2SK4066-1E
2SK4066-1E
$0 $/Stück
STD4NK80Z-1
NTA7002NT1G
NTA7002NT1G
$0 $/Stück
R6004PND3FRATL
NVMTS0D7N04CLTXG
NVMTS0D7N04CLTXG
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.