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IXTT140N10P

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 140A TO268

IXTT140N10P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTT140N10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.40000 $7.4
30 $6.06800 $182.04
120 $5.47600 $657.12
510 $4.58800 $2339.88
1,020 $4.14400 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 140A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V, 15V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

IXTQ96N15P
IXTQ96N15P
$0 $/Stück
ZXM61N02FTA
IXFB170N30P
IXFB170N30P
$0 $/Stück
STWA57N65M5
APT56F50B2
FDA59N30
FDA59N30
$0 $/Stück
SIHP16N50C-BE3
5HN01M-TL-E
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$0 $/Stück

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