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IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 16A TO268

IXTT16N10D2 Technisches Datenblatt

compliant

IXTT16N10D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.30700 $279.21
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 64mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5700 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

SIHB35N60EF-GE3
IRF9Z20PBF
IRF9Z20PBF
$0 $/Stück
IXTK170P10P
IXTK170P10P
$0 $/Stück
MTD6N20E1
MTD6N20E1
$0 $/Stück
R6050JNZ4C13
IRLH5034TRPBF

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