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IXTT30N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXTT30N50P Technisches Datenblatt

compliant

IXTT30N50P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $6.53967 $196.1901
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

STD70N02L
STD70N02L
$0 $/Stück
IRLZ44L
IRLZ44L
$0 $/Stück
IRLZ24NS
RSS060P05FU6TB
SI4646DY-T1-E3
IRF6665
IRF6665
$0 $/Stück
IRFBE20STRR
IRFBE20STRR
$0 $/Stück
IRLML5203

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