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IXTT52N30P

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 52A TO268

IXTT52N30P Technisches Datenblatt

compliant

IXTT52N30P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.08500 $152.55
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 52A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 66mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3490 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

SISH110DN-T1-GE3
IRLP3034PBF
MCH3377-TL-E
MCH3377-TL-E
$0 $/Stück
NTE2922
NTE2922
$0 $/Stück
FDA69N25
FDA69N25
$0 $/Stück
DMG2305UXQ-7
IXTH62N65X2
IXTH62N65X2
$0 $/Stück
RUL035N02TR
FQE10N20CTU

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