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IXTT60N10

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 60A TO268

IXTT60N10 Technisches Datenblatt

compliant

IXTT60N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.54500 $316.35
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

SI1054X-T1-E3
PHB129NQ04LT,118
PHB129NQ04LT,118
$0 $/Stück
IRFPS3810
NTP6448ANG
NTP6448ANG
$0 $/Stück
NVTFS4824NTAG
NVTFS4824NTAG
$0 $/Stück
SI1305EDL-T1-GE3
IPI075N15N3

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