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IXTT72N20

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 72A TO268

IXTT72N20 Technisches Datenblatt

compliant

IXTT72N20 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $11.19267 $335.7801
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 72A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

STW13N60M2
STW13N60M2
$0 $/Stück
IRF6674TR1PBF
IRLI530G
IRLI530G
$0 $/Stück
IPD20N03L G
IRF7495PBF
STU95N2LH5
STU95N2LH5
$0 $/Stück
FDU7N60NZTU
FDU7N60NZTU
$0 $/Stück
IPP230N06L3 G

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