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IXTT75N10

IXTT75N10

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 75A TO268

IXTT75N10 Technisches Datenblatt

compliant

IXTT75N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $24.78600 $743.58
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

SI5401DC-T1-E3
IRF7421D1PBF
BUK92150-55A,118
SI8805EDB-T2-E1
BUK724R5-30C,118
STD95N04
STD95N04
$0 $/Stück
IRLR7833PBF
CPH3461-TL-W
CPH3461-TL-W
$0 $/Stück

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