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IXTV22N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220

IXTV22N60P Technisches Datenblatt

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IXTV22N60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS220
Paket / Koffer TO-220-3, Short Tab
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Zugehörige Teilenummer

IRLIZ24NPBF
FQA55N10
FQA55N10
$0 $/Stück
IRLR7843CPBF
IRFZ44RSTRR
IRFZ44RSTRR
$0 $/Stück
STFW20N65M5
IRFR9120TRL
IRFR9120TRL
$0 $/Stück
IPD60R750E6
R6015KNZC8
R6015KNZC8
$0 $/Stück

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