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IXTV26N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220

IXTV26N50P Technisches Datenblatt

compliant

IXTV26N50P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 230mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS220
Paket / Koffer TO-220-3, Short Tab
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Zugehörige Teilenummer

IRF3707SPBF
IPD12CN10N
NDS9407
NDS9407
$0 $/Stück
DMP2004KQ-7
PMPB16XNEAX
PMPB16XNEAX
$0 $/Stück
NTD6415ANT4G
NTD6415ANT4G
$0 $/Stück
RSS090P03FU6TB

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